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更新日 : 2019年10月21日
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教員略歴
氏名阿部 貴美 (ABE Takami)
所属専攻講座岩手大学 理工学部 システム創成工学科 電気電子通信コース
職名助教
生年月日
研究室電話番号019-621-6984
研究室FAX番号
メールアドレスtabe@iwate-u.ac.jp
取得学位
  1. 修士(工学)
    • 学位の分野 : 電子・電気材料工学
    • 学位授与機関 : 岩手大学
    • 取得年月日 : 2008年3月21日
  2. 博士(工学)
    • 学位の分野 : 電子・電気材料工学
    • 学位授与機関 : 岩手大学
    • 取得年月日 : 2011年3月23日
学内職務経歴
  1. 岩手大学 理工学部
    • [本務] 助教 (2016年5月1日~継続中)
専門分野(科研費分類)
  1. 電子・電気材料工学
担当授業科目
  1. 2016年度
    • 電気電子工学基礎実験
    • 初年次自由ゼミナール
  2. 2017年度
    • 電気電子工学応用実験
    • 電気電子工学英語研修Ⅱ
    • 電気電子工学基礎実験
    • 初年次自由ゼミナール
  3. 2018年度
    • 電気電子工学英語研修Ⅱ
    • 電気電子工学応用実験
    • 初年次自由ゼミナール
    • 電気電子工学課題実習Ⅰ
    • 電気電子工学課題実習Ⅰ
指導学生数及び学位授与者数
  1. 2016年度
    • 補助研究指導(学部) 5人
    • 補助教員(修士・助教) 5人
  2. 2017年度
    • 補助研究指導(学部) 7人
    • 補助教員(修士・助教) 2人
  3. 2018年度
    • 卒業研究指導(学部) 8人
    • 補助教員(修士・助教) 5人
教育研究会における発表
  1. アクティブ・ラーニングによる教育理念の作り方の紹介
    • 教育研究会名 :
      カナダ・サスカチュワン大学教員によるアクティブ・ラーニング集中研修プログラム
    • 開催年月 : 2017年7月
  2. アクティブラーニングの理論に関する講習・実践
    • 教育研究会名 :
      カナダ・サスカチュワン大学教員によるアクティブラーニング短期集中研修
    • 開催年月 : 2018年8月
論文
  1. Homoepitaxial growth of non-polar ZnO (112 0) films on off-angle ZnO substrates by MOCVD [Journal of Crystal Growth, 298, (2006年11月28日), pp.457-460] T. Abe, Y. Kashiwaba, S. Onodera, F. Masuoka, A. Nakagawa, H. Endo, I. Niikura, Y. Kashiwaba
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  2. Comparison of non-polar ZnO (112 ̅0) films deposited on single crystal ZnO (112 ̅0) and sapphire (011 ̅2) substrates [Journal of Crystal Growth, 298, (2006年11月28日), pp.477-480] Y. Kashiwaba, T. Abe, S. Onodera, F. Masuoka, A. Nakagawa, H. Endo, I. Niikura, Y. Kashiwaba
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  3. The Effect of Ultrasonic Resonance on Impedance in Magnetic Rods [IEEE TRANS ACTIONS ON MAGNETICS, 44(11), (2008年11月1日), pp.4007-4010] Hiroshi Osada, Satoshi Nakamura, Takami Abe, Hiroshi Hatafuku, Shigeki Chiba, and Hideo Oka
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  4. Structure and optical properties of non-doped and N-doped ZnO films with non-polar surfaces grown homoepitaxially on single crystal ZnO (112 ̅0) substrates [Physica Status Solidi C, 6(S1), (2009年4月9日), pp.S94-S97] akami Abe, A. Nakagawa, S. Chiba, Y. Kashiwaba, H. Endo, K. Meguro, T. Ojima, K. Aota, M. Daibo, H. Osada, I. Niikura, Y. Kashiwaba, T. Fujiwara
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  5. Characteristics of high-quality homoepitaxial ZnO (0001) films grown by the plasma-assisted reactive evaporation method [Physica Status Solidi C, 6(S1), (2009年4月15日), pp.S119-S122] A. Nakagawa, T. Abe, S. Chiba, H. Endo, K. Meguro, Y. Kashiwaba, T. Ojima, K. Aota, I. Niikura, Y. Kashiwaba, T. Fujiwara
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  6. Homoepitaxial growth of high-quality nonpolar ZnO films by MOCVD and evaluation of the homoepitaxial ZnO films by XRD measurement for asymmetric planes [Physica Status Solidi A, 206(5), (2009年4月23日), pp.944-947] Yasuhiro Kashiwaba, Takami Abe, Akira Nakagawa, Haruyuki Endo, Ikuo Niikura, Yasube Kashiwaba
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  7. Role of substrate temperature in controlling properties of sprayed CuInS₂ absorbers [Solar Energy, 83, (2009年6月21日), pp.1683-1688] Tina Sebastian, Manju Gopinath, C. Sudha Kartha, K. P. Vijayakumar, T. Abe, Y. Kashiwaba
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  8. Tin doping in spray pyrolysed indium sulfide thin films for solar cell applications [Solar Energy, 84, (2010年3月26日), pp.888-897] Meril Mathew, Manju Gopinath, C. Sudha Kartha, K. P. Vijayakumar, Y. Kashiwaba, T. Abe
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  9. Enhancement of electrical conductivity in sprayed ZnO thin film through zero-energy process [Physica B, 405, (2010年10月1日), pp.4957-4960] T. V. Vimalkumar, N. Poornima, C. Sudha Kartha, K. P. Vijayakumar, T. Abe, Y. Kashiwaba
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  10. Ex situ Sn diffusion: a well-suited technique for enhancing the photovoltaic properties of a SnS absorber layer [Journal of Physics D: Applied Physics, 43, (2010年10月21日), pp.445102-] T. H. Sajeesh, C. Sudha Kartha, C. Sanjeeviraja, T. Abe, Y. Kashiwaba, K. P. Vijayakumar
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  11. Role of precursor solution in controlling the opto-electronic properties of spray pyrolysed Cu₂ZnSnS₄ thin films [Solar Energy, 85, (2011年1月3日), pp.249-255] V. G. Rajeshmon, C. Sudha Kartha, K. P. Vijayakumar, C. Sanjeeviraja, T. Abe, Y. Kashiwaba
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  12. CuInS2/In2S3 Cells using a Cost-effective Technique: Significance of Precursor Ratios on Cell Parameters [Energy Procedia, 15, (2012年2月3日), pp.283-290] Angel Susan Cherian, T. Abe, Y. Kashiwaba, C. Sudha Kartha, K. P. Vijayakumar
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  13. Double layer CuInS2 absorber using spray pyrolysis: A better candidate for CuIns2/In2S3 thin film solar cells [Solar Energy, 86, (2012年4月21日), pp.1872-1879] Angel Susan Cherian, K. B. Jinesh, Y. Kashiwaba, T. Abe, A. K. Balamurugan, Sitaram Dash, A. K. Tyagi, C. Sudha Kartha, K. P. Vijayakumar
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  14. Epitaxial growth of high-quality MgxZn1-xO films by a plasma-assisted reactive evaporation method using ZnMg alloys as a source material [Physica Status Solidi C, 9(8-9), (2012年5月9日), pp.1813-1816] T. Abe, A. Nakagawa, M. Tanaka, M. Nakagawa, H. Endo, K. Meguro, Y. Kashiwaba, S. Chiba, T. Ojima, K. Aota, S. Takahashi, M. Daibo, H. Osada, T. Fujiwara, K. Yamaguchi, I. Niikura, Y. Kashiwaba
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  15. Influence of indium concentration and growth temperature on the structural and optoelectronic properties of indium selenide thin films [Physica Status Solidi B, 250(1), (2012年9月21日), pp.95-102] R. Sreekumar, T. H. Sajeesh, T. Abe, Y. Kashiwaba, C. Sudha Kartha, K. P. Vijayakumar
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  16. Formation of a ZnO2 layer on the surface of single crystal ZnO substrates with oxygen atoms by hydrogen peroxide treatment [Journal of Applied Physics, 113(11), (2013年3月15日), pp.113501-] Y. Kashiwaba, T. Abe, A. Nakagawa, I. Niikura, Y. Kashiwaba, M. Daibo, T. Fujiwara, H. Osada
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  17. Fabrication of Schottky barrier diodes using H2O2-treared non-polar ZnO (101 ̅0) substrates [Applied Surface Science, 286, (2013年9月16日), pp.126-130] Yasuhiro Kashiwaba, Mio Sakuma, Takami Abe, Akira Nakagawa, Ikuo Niikura, Yasube Kashiwaba, Masahiro Daibo, Hiroshi Osada
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  18. Optical characterization by variable angle spectroscopic ellipsometry of nitrogen-doped MgxZn1-xO thin films prepared by the plasma-assisted reactive evaporation method [Thin Solid Films, 571, (2014年3月12日), pp.615-619] Takami Abe, Akira Nakagawa, Michiko Nakagawa, Tetsuya Chiba, Shuzo Takahashi, Yasuhiro Kashiwaba, Shigeki Chiba, Tsutomu Ojima, Katsumi Aota, Masahiro Daibo, Hiroshi Osada, Tamiya Fujiwara, Ikuo Niikura, Yasube Kashiwaba, Kouichi Tsutsumi, Michio Suzuki
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  19. Estimation of band gap energy of MgxZn1-xO films by photocurrent [Physica Status Solidi C, 11(7-8), (2014年3月25日), pp.1345-1348] Takami Abe, Akira Nakagawa, Tetsuya Chiba, Michiko Nakagawa, Shuzo Takahashi, Shigeki Chiba, Yasuhiro Kashiwaba, Tsutomu Ojima, Katsumi Aota, Masahiro Daibo, Ikuo Niikura, Yasube Kashiwaba, Hiroshi Osada
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  20. Heteroepitaxial growth of non-polar ZnO films on single crystal NdGaO3 (001) substrates by MOCVD [Physica Status Solidi C, 11(7-8), (2014年3月25日), pp.1361-1364] Yasuhiro Kashiwaba, Tai Yokoyama, Mio Sakuma, Takami Abe, Akira Nakagawa, Ikuo Niikura, Yasube Kashiwaba, Masahiro Daibo, Hiroshi Osada
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  21. Applicability of nitrogen-doped ZnO single crystals for photoconductive type UV sensors [Physica Status Solidi C, 11(7-8), (2014年4月2日), pp.1304-1307] Shuzo Takahashi, Takami Abe, Akira Nakagawa, Syuhei Kamata, Tetsuya Chiba, Michiko Nakagawa, Yasuhiro Kashiwaba, Shigeki Chiba, Haruyuki Endo, Kazuyuki Meguro, Masahiro Daibo, Ikuo Niikura, Yasube Kashiwaba, Shuzo Oshima, Hiroshi Osada
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  22. Photoconductive properties of undoped and nitrogen-doped ZnO single crystals in various ambiences [Physica Status Solidi C, 13(7-9), (2016年2月26日), pp.581-584] akami Abe, Shuzo Takahashi, Shuhei Kamada, Akira Nakagawa, Tetsuya Chiba, Michiko Nakagawa, Shigeki Chiba, Yasuhiro Kashiwaba, Masahiro Daibo, Ikuo Niikura, Yasube Kashiwaba, Hiroshi Osada,
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  23. Improvement of the Photoconductive Characteristics of ZnO Single Crystals by Annealing [Journal of Electronic Materials, 47(8), (2018年3月8日), pp.4272-4276] 阿部貴美、滑志田安信、尾形優樹、三浦敦嗣、中川玲、千葉鉄也、柏葉安宏、大坊真洋、新倉郁生、柏葉安兵衛、長田洋
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  24. Preparation of a Non-Polar ZnO Film on a Single-Crystal NdGaO3 Substrate by the RF Sputtering Method [Journal of Electronic Materials, 47(8), (2018年4月13日), pp.4345-4350] Y. Kahiwaba, Y. Tanaka, M. Sakuma, T. Abe, Y. Imai, K. Kawasaki, A. Nakagawa, I. Niikura, Y. Kashiwaba, H. Osada,
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
  25. Application of a ZnO UV sensor for a scintillation-type radiation detector [Journal of Materials Science: Materials in Electronics, (2019年5月13日)] 阿部貴美、鈴木祐太郎、中川玲、千葉鉄也、中川美智子、柏葉安宏、新倉郁生、柏葉安兵衛、長田洋
    • 掲載種別 : 学術誌
    • 査読 : 査読有り
研究発表
  1. 酸化亜鉛 (11-20)面基板上へのホモエピタキシャル成長
    • 会議名称 : 平成17年度電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2005年8月25日~2005年8月26日
    • 発表者 : 阿部貴美、柏葉安宏、小野寺重文、長沼博、松下浩一、新倉郁生、柏葉安兵衛
  2. 単結晶ZnO基板上へ作製した無極性ZnO (11-20)面薄膜の特性
    • 会議名称 : 第60回応用物理学会東北支部学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2005年12月8日~2005年12月9日
    • 発表者 : 阿部貴美、柏葉安宏、小野寺重文、中川玲、増岡史仁、新倉郁生、柏葉安兵衛
  3. Homoepitaxial growth of non-polar ZnO (112 ̅0) films on single crystal ZnO (112 ̅0) substrates with off-angle by MOCVD
    • 会議名称 : 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2006年5月22日~2006年5月26日
    • 発表者 : T. Abe, Y. Kashiwaba, S. Onodera, N. Masuoka, A. Nakagawa, H. Endo, I. Niikura, and Y. Kashiwaba
  4. Comparison of non-polar ZnO (112 ̅0) films deposited on single crystal ZnO (112 ̅0) and sapphire (011 ̅2) substrates
    • 会議名称 : 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表形態 : ポスター(一般)
    • 開催期間 : 2006年5月22日~2006年5月26日
    • 発表者 : Y. Kashiwaba, T. Abe, S. Onodera, N. Masuoka, A. Nakagawa, H. Endo, I. Niikura, and Y. Kashiwaba
  5. プラズマアシスト反応性蒸着法による非極性酸化亜鉛薄膜の作製
    • 会議名称 : 第68回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2007年9月4日~2007年9月8日
    • 発表者 : 阿部貴美、中川玲、中川美智子、遠藤治之、目黒和幸、柏葉安宏、大坊真洋、新倉郁生、柏葉安兵衛
  6. Structure and optical properties of non-doped and N-doped ZnO films with non-polar surfaces grown homoepitaxially on single crystal ZnO (112 ̅0) substrates
    • 会議名称 : Third International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications
    • 発表形態 : ポスター(一般)
    • 開催期間 : 2008年7月20日~2008年7月25日
    • 発表者 : T. Abe, A. Nakagawa, S. Chiba, Y. Kashiwaba, H. Endo, K. Meguro, T. Ojima, K. Aota, M. Daibo, H. Osada, I. Niikura, and Y. Kashiwaba
  7. Characteristics of high-quality homoepitaxial ZnO (0001) films grown by the plasma-assisted reactive evaporation method
    • 会議名称 : Third International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications
    • 発表形態 : ポスター(一般)
    • 開催期間 : 2008年7月20日~2008年7月25日
    • 発表者 : A. Nakagawa, T. Abe, S. Chiba, H. Endo, K. Meguro, Y. Kashiwaba, T. Ojima, K. Aota, I. Niikura, Y. Kashiwaba, and T. Fujiwara
  8. Homoepitaxial growth of high-quality non-polar ZnO films by MOCVD and evaluation of the homoepitaxial ZnO films by XRD for in-plane
    • 会議名称 : Third International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications
    • 発表形態 : ポスター(一般)
    • 開催期間 : 2008年7月20日~2008年7月25日
    • 発表者 : Y. Kashiwaba, T. Abe, A. Nakagawa, H. Endo, I. Niikura, and Y. Kashiwaba
  9. a面ZnO単結晶基板上Nドープ非極性ZnO薄膜のホモエピタキシャル成長
    • 会議名称 : 第69回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2008年9月2日~2008年9月5日
    • 発表者 : 阿部貴美、中川玲、中川美智子、遠藤治之、目黒和幸、柏葉安宏、小島勉、青田克己、新倉郁生、柏葉安兵衛、長田洋
  10. ZnOホモ接合ダイオードの紫外線発光
    • 会議名称 : 第69回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2008年9月2日~2008年9月5日
    • 発表者 : 中川玲、阿部貴美、遠藤治之、阿部貴志、中川美智子、千葉茂樹、柏葉安宏、小島勉、青田克己、新倉郁生、柏葉安兵衛、藤原民也
  11. プラズマアシスト反応性蒸着法によるZnO:N薄膜のホモエピタキシャル成長
    • 会議名称 : 平成21年度電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2009年8月20日~2009年8月21日
    • 発表者 : 田中雅志、中川玲、阿部貴美、中川美智子、遠藤治之、柏葉安宏、新倉郁生、 柏葉安兵衛
  12. Pd/ZnOショットキーダイオードの作製と特性に及ぼす水素ガスの影響
    • 会議名称 : 平成21年度電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2009年8月20日~2009年8月21日
    • 発表者 : 東海林幹、柏葉安宏、阿部貴美、中川玲、遠藤治之、新倉郁生、柏葉安兵衛
  13. Effectiveness of using a ZnO substrate with an off-axis angle for growth of nitrogen-doped ZnO films
    • 会議名称 : 14th International Conference on Ⅱ-Ⅵ Compounds
    • 発表形態 : ポスター(一般)
    • 開催期間 : 2009年8月23日~2009年8月28日
    • 発表者 : A. Nakagawa, T. Abe, M. Nakagawa, S. Chiba, H. Endo, K. Meguro, T. Abe, Y. Kashiwaba, T. Ojima, K. Aota, I. Niikura, Y. Kashiwaba, and T. Fujiwara
  14. プラズマアシスト反応性蒸着法で作製したホモエピタキシャルZnO:N薄膜の諸特性
    • 会議名称 : 第70回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2009年9月8日~2009年9月11日
    • 発表者 : 中川玲、阿部貴美、遠藤治之、目黒和幸、阿部貴志、中川美智子、千葉茂樹、柏葉安宏、小島勉、青田克己、新倉郁生、柏葉安兵衛、藤原民也
  15. ZnMg合金を用いたPARE法によるZn1-xMgxO薄膜の作製
    • 会議名称 : 第71回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2010年9月14日~2010年9月17日
    • 発表者 : 阿部貴美、中川玲、田中雅志、遠藤治之、中川美智子、千葉茂樹、柏葉安宏、長田洋、 新倉郁生、柏葉安兵衛、藤原民也
  16. ZnOホモ接合ダイオードにおける紫外線発光特性の改善
    • 会議名称 : 第71回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2010年9月14日~2010年9月17日
    • 発表者 : 中川玲、阿部貴美、田中雅志、遠藤治之、千葉鉄也、中川美智子、柏葉安宏、小島勉、 青田克己、 新倉郁生、柏葉安兵衛、藤原民也
  17. Epitaxial growth of high-quality MgxZn1-xO films by a plasma-assisted reactive evaporation method using ZnMg alloys as a source material
    • 会議名称 : 15th International Conference on Ⅱ-Ⅵ Compounds
    • 発表形態 : ポスター(一般)
    • 開催期間 : 2011年8月21日~2011年8月26日
    • 発表者 : T. Abe, A. Nakagawa, M. Tanaka, M. Nakagawa, H. Endo, K. Meguro, Y. Kashiwaba, S. Chiba, T. Ojima, K. Aota, S. Takahashi, M. Daibo, H. Osada, T. Fujiwara, K. Yamaguchi, I. Niikura, and Y. Kashiwaba
  18. PARE法により作製したZnO/MgxZn1-xOヘテロ接合の諸特性
    • 会議名称 : 第72回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2011年8月29日~2011年9月2日
    • 発表者 : 阿部貴美、中川玲、遠藤治之、千葉鉄也、中川美智子、千葉茂樹、高橋修三、 柏葉安宏、青田克己、大坊真洋、新倉郁生、柏葉安兵衛、藤原民也、長田洋
  19. ZnO単結晶基板の光導電特性の測定
    • 会議名称 : 応用物理学会東北支部第66回学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2011年12月1日~2011年12月3日
    • 発表者 : 高橋修三、及川弘文、星覚、阿部貴美、中川玲、千葉鉄也、菊池信也、柏葉安宏、 遠藤治之、目黒和幸、千葉茂樹、新倉郁生、柏葉安兵衛、大島修三、長田洋
  20. 過酸化水素水で表面処理を施した単結晶ZnO基板を用いたPd/ZnOダイオードの 水素による電流変化
    • 会議名称 : 応用物理学会東北支部第66回学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2011年12月1日~2011年12月3日
    • 発表者 : 安彦嘉浩、柏葉安宏、阿部貴美、中川玲、千葉鉄也、遠藤治之、中川美智子、 千葉茂樹、高橋修三、新倉郁生、柏葉安兵衛、藤原民也、長田洋
  21. ZnO基板およびMgZnO薄膜のバンドギャップの評価
    • 会議名称 : 第73回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2012年9月11日~2012年9月14日
    • 発表者 : 阿部貴美、中川玲、千葉鉄也、中川美智子、高橋修三、千葉茂樹、遠藤治之、 目黒和幸、柏葉安宏、大坊真洋、新倉郁生、柏葉安兵衛、藤原民也、長田洋
  22. PARE法により作製したZnO/MgxZn1-xOヘテロ接合の諸特性
    • 会議名称 : 第73回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2012年9月11日~2012年9月14日
    • 発表者 : 中川玲、阿部貴美、千葉鉄也、中川美智子、高橋修三、千葉茂樹、柏葉安宏、小島勉、 青田克己、新倉郁生、柏葉安兵衛、藤原民也、長田洋
  23. ZnO単結晶のUVセンサへの応用の可能性
    • 会議名称 : 応用物理学会東北支部第67回学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2012年11月25日~2012年11月26日
    • 発表者 : 高橋修三、菊池信也、阿部貴美、中川玲、千葉鉄也、柏葉安宏、遠藤治之、目黒和幸、 千葉茂樹、新倉郁生、柏葉安兵衛、大島修三、長田洋
  24. MgxZn1-xO:N薄膜の光学的特性評価
    • 会議名称 : 第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2013年3月27日~2013年3月30日
    • 発表者 : 阿部貴美、中川玲、千葉鉄也、中川美智子、高橋修三、千葉茂樹、柏葉安宏、大坊真洋、新倉郁生、柏葉安兵衛、藤原民也、長田洋
  25. ZnO単結晶基板を用いた水素ガスセンサ
    • 会議名称 : 第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2013年3月27日~2013年3月30日
    • 発表者 : 柏葉安宏、阿部貴美、中川玲、高橋修三、新倉郁生、柏葉安兵衛、長田洋
  26. Optical characterization by variable angle spectroscopic ellipsometry of nitrogen-doped MgxZn1-xO thin films prepared by the PARE method
    • 会議名称 : The 6th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry
    • 発表形態 : ポスター(一般)
    • 開催期間 : 2013年5月26日~2013年5月31日
    • 発表者 : T. Abe, A. Nakagawa, M. Nakagawa, T. Chiba, Y. Kashiwaba, S. Chiba, T. Ojima, K. Aota, S. Takahashi, M. Daibo, H. Osada, T. Fujiwara, I. Niikura, and Y. Kashiwaba
  27. Estimation of band gap energy of MgxZn1-xO films and MgxZn1-xO:N films
    • 会議名称 : The 16th International Conference on Ⅱ-Ⅵ Compounds and Related Materials
    • 発表形態 : ポスター(一般)
    • 開催期間 : 2013年9月9日~2013年9月13日
    • 発表者 : T. Abe, A. Nakagawa, T. Chiba, M. Nakagawa, S. Takahashi, S. Chiba, Y. Kashiwaba, T. Ojima K. Aota, M. Daibo, I. Niikura, Y. Kashiwaba, and H. Osada
  28. Hetero-epitaxial Growth of Non-polar ZnO Films on Single Crystal NdGaO3 (001) Substrates by MOCVD
    • 会議名称 : The 16th International Conference on Ⅱ-Ⅵ Compounds and Related Materials
    • 発表形態 : ポスター(一般)
    • 開催期間 : 2013年9月9日~2013年9月13日
    • 発表者 : . Kashiwaba, T. Yokoyama, M. Sakuma, T. Abe, A. Nakagawa, I. Niikura, Y. Kashiwaba, M. Daibo, and H. Osada
  29. Applicability of nitrogen-doped ZnO single crystals for photoconductive type UV sensors
    • 会議名称 : The 16th International Conference on Ⅱ-Ⅵ Compounds and Related Materials
    • 発表形態 : ポスター(一般)
    • 開催期間 : 2013年9月9日~2013年9月13日
    • 発表者 : S. Takahashi, T. Abe, A. Nakagawa, T. Chiba, M. Nakagawa, Y. Kashiwaba, S. Chiba, H. Endo, K. Meguro, M. Daibo, I. Niikura, Y. Kashiwaba, S. Oshima, and H. Osada
  30. 光電流によるZnO基板とZnO系薄膜のバンドギャップの評価
    • 会議名称 : 第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2013年9月16日~2013年9月20日
    • 発表者 : 阿部貴美、中川玲、千葉鉄也、中川美智子、高橋修三、千葉茂樹、柏葉安宏、大坊真洋、新倉郁生、柏葉安兵衛、長田洋
  31. PARE法によりZnO基板上に作製したMgxZn1-xO:N膜の諸特性
    • 会議名称 : 第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2013年9月16日~2013年9月20日
    • 発表者 : 中川玲、阿部貴美、千葉鉄也、中川美智子、高橋修三、千葉茂樹、柏葉安宏、小島勉、 青田克己、新倉郁生、柏葉安兵衛、長田洋
  32. ZnO単結晶の光導電特性に及ぼす雰囲気ガスの影響
    • 会議名称 : 応用物理学会東北支部第68回学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2013年12月5日~2013年12月6日
    • 発表者 : 鎌田修平、高橋修三、阿部貴美、中川玲、千葉鉄也、中川美智子、柏葉安宏、遠藤治之、目黒和幸、千葉茂樹、新倉郁生、柏葉安兵衛、大島修三、長田洋
  33. YAP/ZnO系光導電型放射線検出器の検討
    • 会議名称 : 平成26年度電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2014年8月21日~2014年8月22日
    • 発表者 : 鈴木祐太郎、阿部貴美、鎌田修平、高橋修三、塩脇順平、中川 玲、千葉鉄也、 中川美智子、柏葉安宏、千葉茂樹、新倉郁生、柏葉安兵衛、 大島修三、長田洋
  34. ZnO単結晶を用いた紫外線センサの過酸化水素処理による特性改善
    • 会議名称 : 平成26年度電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2014年8月21日~2014年8月22日
    • 発表者 : 前田一希、柏葉安宏、佐久間実緒、千葉鉄也、阿部貴美、中川玲、新倉郁生、 柏葉安兵衛、長田洋
  35. PARE法により作製したMgxZn1-xO:N/ZnOヘテロ接合のEL特性
    • 会議名称 : 第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2014年9月17日~2014年9月20日
    • 発表者 : 中川玲、阿部貴美、千葉鉄也、中川美智子、高橋修三、千葉茂樹、柏葉安宏、小島勉、 新倉郁生、柏葉安兵衛、長田洋
  36. ZnO単結晶の光導電特性に関する研究
    • 会議名称 : 計測自動制御学会東北支部第293回研究集会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2015年2月19日
    • 発表者 : 鎌田修平、高橋修三、阿部貴美、中川玲、千葉鉄也、中川美智子、柏葉安宏、 千葉茂樹、新倉郁生、柏葉安兵衛、大島修三、長田洋
  37. 雰囲気の違いによるZnO単結晶基板の光導電特性
    • 会議名称 : 第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2015年3月11日~2015年3月14日
    • 発表者 : 阿部貴美、鎌田修平、高橋修三、中川玲、千葉鉄也、中川美智子、千葉茂樹、柏葉安宏、大坊真洋、新倉郁生、柏葉安兵衛、長田洋
  38. Photoconductive properties of non-doped and nitrogen-doped ZnO single crystals in various ambient gases
    • 会議名称 : 17th International Conference on Ⅱ-Ⅵ Compounds and Related Materials
    • 発表形態 : ポスター(一般)
    • 開催期間 : 2015年9月13日~2015年9月18日
    • 発表者 : T. Abe, S. Takahashi, S. Kamada, A. Nakagawa, T. Chiba, M. Nakagawa, S. Chiba, Y. Kashiwaba, M. Daibo, I. Niikura, Y. Kashiwaba, and H. Osada
  39. ZnO単結晶を用いた縦型光導電タイプUVセンサの特性
    • 会議名称 : 応用物理学会東北支部第70回学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2015年12月3日~2015年12月4日
    • 発表者 : 塩脇順平、阿部貴美、鈴木祐太郎、中川玲、千葉鉄也、中川美智子、柏葉安宏、 千葉茂樹、新倉郁生、柏葉安兵衛、長田洋
  40. ZnO単結晶の紫外線応答特性に及ぼす過酸化水素処理効果
    • 会議名称 : 第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表形態 : ポスター(一般)
    • 開催期間 : 2016年3月19日~2016年3月22日
    • 発表者 : 柏葉安宏、安藤昌広、佐久間実緒、川崎浩司、今井裕司、阿部貴美、中川玲、 新倉郁生、柏葉安兵衛、長田洋
  41. 蔵本モデルに基づく同期温度制御方式に関する研究
    • 会議名称 : 計測自動制御学会東北支部第30回研究集会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2016年5月23日
    • 発表者 : 高橋賢、舘松達矢、高橋良幸、佐藤涼、千葉茂樹、伊藤孝徳、阿部貴美、仲摩崇、 石橋政三、長田洋
  42. ザゼンソウの発熱量への移動水分量の影響
    • 会議名称 : 第71回応用物理学会東北支部学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2016年12月1日~2016年12月2日
    • 発表者 : 田中大貴、高橋史也、阿部貴美、千葉茂樹、伊藤菊一、長田 洋
  43. ZnO単結晶基板の熱処理効果のPLによる評価
    • 会議名称 : 第71回応用物理学会東北支部学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2016年12月1日~2016年12月2日
    • 発表者 : 尾形優樹、滑志田安信、阿部貴美、中川玲、千葉鉄也、中川美智子、柏葉安宏、千葉茂樹、新倉郁生、柏葉安兵衛、長田 洋
  44. ZnO単結晶の光導電特性に及ぼす熱処理の影響
    • 会議名称 : 第71回応用物理学会東北支部学術講演会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2016年12月1日~2016年12月2日
    • 発表者 : 滑志田安信、尾形優樹、阿部貴美、中川玲、千葉鉄也、中川美智子、柏葉安宏、千葉茂樹、新倉郁生、柏葉安兵衛、長田 洋
  45. ZnO光導電型UVセンサとYAP:Ceシンチレータの組み合わせによる放射線の検出
    • 会議名称 : 第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表形態 : ポスター(一般)
    • 開催期間 : 2017年3月14日~2017年3月17日
    • 発表者 : 阿部貴美、滑志田安信、三浦敦嗣、中川玲、千葉鉄也、中川美智子、千葉茂樹、柏葉安宏、大坊真洋、新倉郁生、柏葉安兵衛、長田洋
  46. 過酸化水素処理を施した酸化亜鉛単結晶の光導電特性
    • 会議名称 : 第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表形態 : ポスター(一般)
    • 開催期間 : 2017年3月14日~2017年3月17日
    • 発表者 : 柏葉安宏、阿部貴美、佐久間実緒、川崎浩司、今井裕司、中川玲、新倉郁生、柏葉安兵衛、長田洋
  47. スパッタ法による単結晶NdGaO3基板上への非極性ZnO薄膜の作製
    • 会議名称 : 第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表形態 : ポスター(一般)
    • 開催期間 : 2017年3月14日~2017年3月17日
    • 発表者 : 田中優太、佐久間実緒、小嶋天俊、今井裕司、川崎浩司、柏葉安宏、阿部貴美、中川玲、新倉郁生、柏葉安兵衛、長田洋
  48. Improvement of the photoconductive characteristics of ZnO single crystals by annealing
    • 会議名称 : 18th International Conference on Ⅱ-Ⅵ Compounds and Related Materials
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2017年9月24日~2017年9月29日
    • 発表者 : T. Abe, Y. Nameshida, Y. Ogata, A. Miura, A. Nakagawa, T. Chiba, M. Nakagawa, Y. Kashiwaba, M. Daibo, I. Niikura, Y. Kashiwaba, and H. Osada
  49. Preparation of a non-polar ZnO film on a single crystal NdGaO3 substrate by the rf sputtering method
    • 会議名称 : 18th International Conference on Ⅱ-Ⅵ Compounds and Related Materials
    • 発表形態 : ポスター(一般)
    • 開催期間 : 2017年9月24日~2017年9月29日
    • 発表者 : Y. Kashiwaba, Y. Tanaka, M. Sakuma, T. Abe, Y. Imai, K. Kawasaki, A. Nakagawa, I. Niikura, Y. Kashiwaba, and H. Osada
  50. Application of a ZnO UV sensor for a scintillation-type radiation detector
    • 会議名称 : 8th International Conference on Optical, Optelectronic and Photonic Materials and Applications
    • 発表形態 : ポスター(一般)
    • 開催期間 : 2018年8月26日~2018年8月31日
    • 発表者 : 阿部貴美、鈴木祐太郎、中川玲、千葉茂樹、中川美智子、柏葉安宏、新倉郁生、柏葉安兵衛、長田洋
    • 開催場所 : MARESIAS-SP, BRAZIL
  51. Application of a ZnO UV sensor for a scintillation-type radiation detector
    • 会議名称 : 8th International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications
    • 発表形態 : ポスター(一般)
    • 開催期間 : 2018年8月26日~2018年8月31日
    • 発表者 : 阿部貴美、鈴木祐太郎、中川玲、千葉鉄也、中川美智子、柏葉安宏、新倉郁生、柏葉安兵衛、長田洋
    • 開催場所 : Maresias-SP, Brazil
  52. 水熱合成法で育成したNドープZnO単結晶に関する研究
    • 会議名称 : 平成30年度東北支部電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2018年9月6日~2018年9月7日
    • 発表者 : 木村響、阿部貴美、中川玲、柏葉安兵衛、新倉郁生、柏葉安宏、千葉茂樹、長田洋
    • 開催場所 : 岩手大学
  53. アセチルアセトン亜鉛を用いた大気圧有機金属化学気相成長法で作製した酸化亜鉛薄膜の紫外光応答特性の改善
    • 会議名称 : 平成30年度東北支部電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2018年9月6日~2018年9月7日
    • 発表者 : 小嶋天俊、柏葉安宏、佐久間実緒、今井裕司、川崎浩司、阿部貴美、中川玲、新倉郁生、柏葉安兵衛、長田洋
    • 開催場所 : 岩手大学
  54. アセチルアセトン亜鉛を用いた大気圧有機金属化学気相成長法で作製した非極性酸化亜鉛薄膜の結晶性評価
    • 会議名称 : 平成30年度東北支部電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2018年9月6日~2018年9月7日
    • 発表者 : 楠見洸介、柏葉安宏、佐久間実緒、今井裕司、川崎浩司、阿部貴美、中川玲、新倉郁生、柏葉安兵衛、長田洋
  55. 光導電型ZnO-UVセンサの応答特性改善
    • 会議名称 : 平成30年度東北支部電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2018年9月6日~2018年9月7日
    • 発表者 : 前川佳穂、阿部貴美、中川玲、柏葉安兵衛、新倉郁生、柏葉安宏、千葉茂樹、長田洋
  56. ゾル-ゲル法によるYAP:Ceシンチレータの作製
    • 会議名称 : 平成30年度東北支部電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2018年9月6日~2018年9月7日
    • 発表者 : 小坂京介、阿部貴美、中川玲、柏葉安兵衛、新倉郁生、柏葉安宏、千葉茂樹、長田洋
    • 開催場所 : 岩手大学
  57. 蔵本モデルを用いた同期温度制御システム
    • 会議名称 : 平成30年度東北支部電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2018年9月6日~2018年9月7日
    • 発表者 : 折笠史典、阿部貴美、千葉茂樹、長田洋
    • 開催場所 : 岩手大学
  58. 恒温植物の温度制御モデルに関する研究
    • 会議名称 : 平成30年度東北支部電気関係学会東北支部連合大会
    • 発表形態 : 口頭(一般)
    • 開催期間 : 2018年9月6日~2018年9月7日
    • 発表者 : 千葉健弘、阿部貴美、千葉茂樹、伊藤菊一、長田洋
    • 開催場所 : 岩手大学
  59. Effects of a Parylene HT coating on photoconductive properties of a ZnO single crystal UV sensor
    • 会議名称 : 19th Canadian Semiconductor Science and Technology Conference
    • 発表形態 : ポスター(一般)
    • 開催期間 : 2019年7月28日~2019年8月1日
    • 発表者 : 阿部貴美、前川佳穂、中川玲、千葉鉄也、中川美智子、柏葉安宏、新倉郁生、柏葉安兵衛、長田洋
    • 開催場所 : University of Saskatchewan, Canada
学術関係受賞
  1. 原田研究奨励賞
    • 受賞年月日 : 2017年7月7日
    • 受賞者・受賞グループ名 : 阿部貴美
科研費(文科省・学振)獲得実績
  1. 基盤研究(C)
    • 支払支給期間 : 2019年4月~2021年3月
    • 獲得年度・受入金額(円)・間接経費(円):
      2019年度・2,100,000円・630,000円
      2020年度・600,000円・180,000円
      2021年度・600,000円・180,000円
その他競争的資金獲得実績
  1. ダイバーシティ研究環境実現イニシアティブ(牽引型)
    • 資金支給期間 : 2016年8月~2017年3月
    • 研究内容 :
      酸化亜鉛 (ZnO) は可視光に感度がなく紫外線領域全体に感度を持つことから、UVセンサ材料として優れている。本研究では、波長370 nmのUVA領域からUVB領域にわたる広い波長範囲において、高い感度を持つ光導電型ZnO UVセンサを開発する。
  2. 全学経費(学長裁量経費を除く)
    • 資金支給期間 : 2017年7月~2018年3月
    • 研究内容 :
      ZnO-UVセンサを応用した放射線検出器の開発を行う。この放射線検出器はYAP:Ce基板に放射線を照射した際に生じるUV光を、ZnO-UVセンサが受光し、放射線を検出するという非常に簡便な構造である。しかしながら、現在使用している市販のYAP:Ce基板は放射線からUV光への変換効率が悪いという問題がある。本研究ではこの問題を解決するため、ゾルゲル法によりCeのドープ量を調整したYAP:Ceシンチレータの作製を試みる。
  3. ダイバーシティ研究環境実現イニシアティブ(牽引型)
    • 資金支給期間 : 2017年8月~2018年3月
    • 研究内容 :
      酸化亜鉛 (ZnO) は可視光に感度がなく紫外線領域全体に感度を持つことから、UVセンサ材料として優れている。本研究では、波長370 nmのUVA領域からUVB領域にわたる広い波長範囲において、高い感度を持つ光導電型ZnO UVセンサを開発する。
  4. ダイバーシティ研究環境実現イニシアティブ(牽引型)
    • 資金支給期間 : 2017年8月~2018年3月
    • 研究内容 :
      無機機能材料の一つである層状複水酸化物(LDH)は、陰イオン交換能をもつ粘土鉱物の一種であり、医薬用制酸剤、陰イオン交換体、触媒など幅広い分野で利用されている。一方、単層カーボンナノチューブ(Single-walled carbon nanotubes, SWCNTs)は、その直径と巻き方によって金属や半導体になるなどの電気的特性、非線形光学特性や、極めて強靭な機械的特性、ダイヤモンドを超える熱伝導特性などが期待され、ナノテクノロジーの代表的な新素材として注目を浴びている。本研究では、上記のLDHとCNTを組み合わせた新規ナノハイブリッド材料を合成し、その電気化学的特性を明らかにすることを目標とする。
  5. ダイバーシティ研究環境実現イニシアティブ(牽引型)
    • 資金支給期間 : 2018年8月~2019年3月
    • 研究内容 :
      酸化亜鉛 (ZnO) は可視光に感度がなく紫外線領域全体に感度を持つことから、UVセンサ材料として優れている。本研究では、波長370 nmのUVA領域からUVB領域にわたる広い波長範囲において、高い感度を持つ光導電型ZnO UVセンサを開発する。
  6. ダイバーシティ研究環境実現イニシアティブ(牽引型)
    • 資金支給期間 : 2018年8月~2019年3月
    • 研究内容 :
      無機機能材料の一つである層状複水酸化物(LDH)は、陰イオン交換能をもつ粘土鉱物の一種であり、医薬用制酸剤、陰イオン交換体、触媒など幅広い分野で利用されている。一方、単層カーボンナノチューブ(Single-walled carbon nanotubes, SWCNTs)は、その直径と巻き方によって金属や半導体になるなどの電気的特性、非線形光学特性や、極めて強靭な機械的特性、ダイヤモンドを超える熱伝導特性などが期待され、ナノテクノロジーの代表的な新素材として注目を浴びている。本研究では、上記のLDHとCNTを組み合わせた新規ナノハイブリッド材料を合成し、その電気化学的特性を明らかにすることを目標とする。
所属学会・委員会
  1. 応用物理学会 (2005年11月17日~継続中)
  2. 日本結晶成長学会 (2017年4月1日~継続中)
学会・委員会等活動
  1. 応用物理学会 企画運営委員(2018年4月~継続中)
  2. 応用物理学会 リフレッシュ理科教室の開催(2019年1月26日~2019年1月26日)
  3. 応用物理学会 リフレッシュ理科教室の開催(2019年8月5日~2019年8月5日)
生涯学習支援実績
  1. 1チップマイコンによるUSBデータロガーの作製とプログラミング
    • 種類 : アカデミックインターンシップ
    • 担当部門(講演題目) : 1チップマイコンによるUSBデータロガーの作製とプログラミングを行った。
    • 開催期間 : 2016年8月
  2. 発光ダイオード(LED)の仕組みを知ろう
    • 種類 : SSH
    • 担当部門(講演題目) : 発光ダイオード(LED)の仕組みを知ろう
    • 開催期間 : 2016年9月
  3. 発光ダイオード(LED)の仕組みを知ろう
    • 種類 : 連続講義
    • 担当部門(講演題目) : 発光ダイオード(LED)の仕組みを知ろう
    • 開催期間 : 2017年9月
国際交流活動
  1. 2019年度
    • 国際交流事業
      • 交流機関・事業等名 :
        キングモンクット工科大学ラカバン校・インターンシップ
      • 交流内容・受入れ目的・事業の担当内容 :
        キングモンクット工科大学ラカバン校からタイ人留学生を受け入れ、研究室インターンシップと岩手県工業技術センターで2週間の企業インターンシップを企画し実施した。研究室滞在中はZnO単結晶を用いたUVセンサの特性評価やUVセンサのデモ機の作製などを行った。
    • 国際交流事業
      • 交流機関・事業等名 :
        日本・アジア青少年サイエンス交流事業(さくらサイエンスプラン)
      • 交流内容・受入れ目的・事業の担当内容 :
        協定校を中心に各国の留学生を一週間招聘し、本学の研究技術を体験し、将来本学への留学生としての受け入れを目指す、本研究室ではコロンビアから4名の学生を受け入れ、ZnO単結晶を用いたUVセンサの特性を評価し、UVセンサのデモ機の作製を行った。